[发明专利]用于使用荧光物质对发光二极管进行波长转换的装置无效

专利信息
申请号: 99812484.2 申请日: 1999-10-21
公开(公告)号: CN1324494A 公开(公告)日: 2001-11-28
发明(设计)人: 德米特里·Z·加尔布佐夫;约翰·C·康诺利;小罗伯特·F·卡尔利切克;伊恩·T·弗格森 申请(专利权)人: 萨尔诺夫公司;埃姆科公司
主分类号: H01J1/62 分类号: H01J1/62;H01J40/16;H01J43/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蹇炜
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 使用 荧光 物质 发光二极管 进行 波长 转换 装置
【权利要求书】:

1、一种装置,包括:

一活性区,所述活性区被构成为可发射具有第一组波长中的第一波段波长的光;

一设置于所述活性区和一外部介质之间并与该两者接触的荧光物质层,所述荧光物质层被构成为可将从所述活性区发射的第一波段波长的光转换为第二波段波长的光,其中,第二波段波长的中心波长大于第一波段波长的中心波长;和

一反射层,其光耦合于所述活性区,所述活性区设置于一反射层和所述荧光物质层之间,所述反射层被构成为至少可反射第一波段波长和第二波段波长的光。

2、如权利要求1所述的装置,其中:

所述活性区具有一活性层,一第一器件层和一第二器件层,且

该第一器件层位于所述反射层和所述活性区的活性层之间并与该两者接触。

3、如权利要求2所述的装置,还包括

一置于所述荧光物质层和活性区的第二器件层之间的衬底;

一置于所述衬底和所述荧光物质层之间并与该两者接触的第二反射层,所述第二反射层被构成为可反射从所述活性区发射的第一波段波长的光,所述第二反射层被构成为可反射从所述荧光物质层发射的第二波段波长的光。

4、如权利要求1所述的装置,还包括

一衬底,

所述活性区具有一活性层、一第一器件层和一第二器件层,所述反射层位于所述衬底和所述活性区的第一器件层之间并与该两者接触。

5、如权利要求4所述的装置,还包括

一第二活性区,该活性区被构成为可发射具有第一波段波长的光;

一设置于所述第二活性区和外部介质之间并与该两者接触的第二荧光物质层,所述第二荧光物质层被构成为可将由所述第二活性区发射的第一波段波长的光转换为第三波段波长的光,其中,第三波段波长的中心波长大于第一波段波长的中心波长;和

一第三活性区,所述第三活性区具有一活性层、一第一器件层和一第二器件层,所述第三活性区的第二器件层设置为与所述反射层相邻并与之接触,所述第三活性区被构成为可发射具有第一波段波长的光,

所述反射光还与所述第二活性区和所述第三活性区光耦合,所述第二活性区设置于所述反射层和所述第二荧光物质层之间,所述反射层被构成为可反射第三波段波长的光。

6、一种装置,包括:

一活性区,其具有一活性层、一第一器件层和一第二器件层,所述活性区的活性层被构成为可发射具有第一组波长中的第一波段波长的光;

一荧光物质层,所述活性区的第一器件层设置于所述荧光物质层和所述活性区的活性层之间并与该两者接触,所述荧光物质层被构成为可将从所述活性区发射的第一波段波长的光转换为第二波段波长的光,其中,第二波段波长的中心波长大于第一波段波长的中心波长,

第一器件层具有一第一边、一第二边和一位于第一边和第二边之间的侧壁,该第一边具有第一面积并与所述活性区的活性层相邻,该第二边具有比第一面积大的第二面积,并与所述荧光物质层相邻,

该侧壁自第一器件层的第二边倾斜一角度,该角度小于90度。

7、如权利要求6所述的装置,其中

所述角度实质上在约40度和约60度之间。

8、如权利要求6所述的装置,其中

所述衬底具有一第一折射率,

所述衬底的侧壁与一具有第二折射率的外部介质相邻并接触,

所述角度实质上小于90度减去第二折射率除以第一折射率的反正弦。

9、如权利要求6所述的装置,其中

所述活性区的活性层具有一侧壁,该侧壁具有该第一器件层的侧壁的角度,且

所述活性区的第二器件层具有一侧壁,该侧壁具有该第一器件层的侧壁的角度。

10、如权利要求6所述的装置,还包括

 一第二活性区,包括一第二活性层、一第三器件层和一第四器件层,所述第二活性区的第二活性层被构成为可发射具有第一波段波长的光;

一第二荧光物质层,所述活性区的第三器件层置于所述第二荧光物质层并与其接触,所述荧光物质层被构成为可将从所述第二活性区发射的第一波段波长的光转换为第三波段波长的光,其中,第一波段波长的中心波长大于第一波段波长的中心波长,

所述第三器件层具有一第一边、一第二边和一位于第一边和第二边之间的侧壁,该第三器件层的第一边具有第一面积并与所述第二活性区的第二活性层相邻,该第三器件层的第二边具有一比第三器件层的第一面积大的第二面积,并与所述荧光物质层相邻,

第三器件层的侧壁自第三器件层的第二边倾斜一第二角度,该第二角度小于90度。

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