[发明专利]玻璃的二氧化硅膜织构化

权利要求书

1．一种在制作于玻璃基底或上基底上的薄膜硅太阳能电池中形成光捕集结构的方法，该方法包括下列步骤：

a)将织构层涂敷到玻璃基底或上基底的表面，该织构层包括束缚在粘接材料中的织构颗粒；和

b)在织构化表面上形成硅膜，并在硅膜内形成光电器件结构，硅膜小于10μm厚。

2．权利要求1的方法，其中薄膜硅器件形成在晶体硅薄膜中。

3．权利要求1的方法，其中薄膜硅器件形成在TCO层上的无定形硅薄膜中。

4．权利要求1、2或3中任意一个的方法，其中织构层的织构表面包括尺寸在硅膜厚度的0.05-2倍范围内的表面零件。

5．权利要求1、2、3或4中任意一个的方法，其中织构层被涂敷到基底或上基底的表面，其方法是：制备含有织构化颗粒的凝胶玻璃，将该凝胶玻璃涂敷到基底或上基底的表面，使得涂敷后玻璃膜的厚度小于织构化颗粒的平均直径，以及加热凝胶玻璃使它烧结，从而成为电介质层。

6．权利要求1的方法，其中织构层被涂敷到基底或上基底的表面，其方法是：制备含有织构化颗粒的凝胶玻璃，将该凝胶玻璃涂敷到基底或上基底的表面，使得涂敷后玻璃膜的厚度小于织构化颗粒的平均直径，以及加热凝胶玻璃使它烧结，从而成为TCO层，并且在形成于TCO层上的无定形硅薄膜内形成薄膜硅器件。

7．权利要求5的方法，其中从凝胶玻璃层产生的电介质层是SiO₂层。

8．权利要求6或7的方法，其中织构化颗粒是单一球形SiO₂颗粒。

9．权利要求8的方法，其中SiO₂颗粒的直径范围在0.2-1.5μm。

10．权利要求8的方法，其中SiO2颗粒的直径范围在0.5-0.9μm。

11．权利要求8的方法，其中SiO₂颗粒的直径范围在0.65-0.75μm。

12．权利要求7的方法，其中织构化颗粒是粉碎的石英。

13．权利要求12的方法，其中石英颗粒的直径主要在0.5-3.0μm范围内。

14．权利要求12的方法，其中石英颗粒的直径主要在1.0-2.0μm范围内。

15．权利要求9到14中任意一个的方法，其中粘结材料的厚度范围是织构化颗粒的平均直径的0.2-0.8倍。

16．权利要求9到14中任意一个的方法，其中粘结材料的厚度范围是织构化颗粒的平均直径的0.35-0.5倍。

17．权利要求8的方法，其中粘结材料的厚度范围在0.25-0.35μm，而织构化颗粒的平均直径范围在0.65-0.75μm。

18．权利要求5到17中任意一个的方法，其中在涂敷织构层的步骤完成之后，形成薄硅膜之前，形成薄的共形势垒层。

19．权利要求18的方法，其中势垒层被涂敷成厚度等于势垒层材料中光波长的四分之一±20％。

20．权利要求19的方法，其中势垒层材料是厚度为70nm±20％的氮化硅。

21．权利要求4到20中任意一个的方法，其中形成在织构化表面上面的薄硅膜的厚度范围是表面织构零件平均高度的1-10倍。

22．权利要求4到20中任意一个的方法，其中形成在织构化表面上面的薄硅膜的厚度范围是表面织构零件平均高度的2-3倍。

23．权利要求17的方法，其中形成在织构化表面上面的薄硅膜的厚度范围在1-2μm。

24．权利要求1到23中任意一个的方法，其中在硅膜形成之后，反射材料层被形成在远离基底或上基底的硅膜表面上。

25．权利要求24的方法，其中在反射材料层形成之前，在远离基底或上基底的硅膜表面上形成绝缘层。

26．权利要求24或25的方法，其中反射材料层也形成金属化结构以接触电池的有源区。