[发明专利]用于单侧晶片的离子提取的方法和装置

权利要求书

1.一种从硅片的前表面提取无机离子污染物以作化学分析的方法，包括：

把硅片放在支撑硅片的支座上，支撑硅片总体水平取向并使硅片的前表面向上；

隔离硅片以防止在前表面上方的空气流动；

只在硅片的前表面上沉积一层提取液体；

让该层提取液在前表面上保持一段时间以使在前表面上的污染物被提取到液体层中去；

从前表面上收集一部分液体层以便以后分析。

2.按照权利要求1的方法，其中在硅片前表面上沉积提取液体层的步骤包含用提取液基本覆盖全部前表面。

3.按照权利要求2的方法，其中让该层提取液在硅片上保持一段时间的步骤包括搅动液体层的步骤，从而有利于把污染物提取到液体中去。

4.按照权利要求3的方法，其中提取液在硅片前表面上保持的时间至少约10分钟。

5.按照权利要求4的方法，其中搅动提取液层的步骤是间断地进行的。

6.按照权利要求3的方法，其中收集部分液体层的步骤进一步包括把提取液从硅片的前表面转移到一容器中去而又保持硅片和液体基本上与空气流动隔离。

7.按照权利要求1的方法，其中沉积提取液层的步骤包括把提取液从硅片前表面上方的某个位置输送而又保持硅片和液体基本与空气流动隔离。

8.按照权利要求1的方法，其中提取液是电阻系数约为18MΩ的去离子水。

9.一种从硅片的前表面提取无机离子污染物的装置，该装置包含：

一个适宜于安置硅片的容器，它有一个支座以便支撑硅片总体水平取向并使硅片前表面向上，该容器适合于防止空气在硅片前表面上方流动并有一个进口孔以向硅片的前表面引入一层提取液；和

一从硅片前表面上的提取液层中取样的取样装置。

10.一种按照权利要求9的装置，其中入口孔位于硅片前表面的上方，以及其中容器有一出口孔以便从容器中移去液体。

11.按照权利要求10的装置，其中取样装置包含一输出管，它通过容器上的出口孔延伸，输出管可以在出口孔中相对于容器在第一个位置和第二个位置之间滑动，在第一个位置时，输出管的一端位于前表面的上方，而在第二个位置时，输出管的一端不在前表面的上方。

12.按照权利要求11的装置，其中取样装置还进一步包含取样注射器，它可以选择性地与出口管传送液体，以及一个样品收集瓶，它可以选择性地与注射器传送液体。

13.一种按照权利要求12的装置，进一步包含引入提取液层的装置，所述的液体引入装置包含一液体源，一注入注射器，以及通过入口孔把提取液送进容器的输入管。

14.一种按照权利要求9的装置，其中容器的支座包含一个有多个支撑块的平台以便支撑硅片并阻止硅片的横向运动。