[发明专利]蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法有效
| 申请号： | 99813592.5 | 申请日： | 1999-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1328696A | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 毛塚健彦;陶山诚;板野充司 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;C09K13/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉,丁业平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 溶液 制品 制造 方法 | ||
1.含氢氟酸的蚀刻溶液，其中硅酸硼玻璃膜(BSG)或磷硅酸硼玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率/热氧化物膜(THOX)的蚀刻速率的比值在25℃为10或更大。
2.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中蚀刻溶液中溶剂的相对介电常数为61或更低。
3.根据权利要求1的蚀刻溶液，该溶液含有至少一种选自有机酸和具有一个杂原子的有机溶剂的成分。
4.根据权利要求1的蚀刻溶液，该溶液含(ⅰ)水和(ⅱ)至少一种选自有机酸和具有一个杂原子的有机溶剂的成分，其中水的含量为70重量％或更低。
5.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中氟化氢∶异丙醇∶水的重量比值为0.1-50重量％∶30-99重量％∶0-70重量％。
6.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中氟化氢∶乙酸∶水的重量比值为0.1-50重量％∶30-99.9重量％∶0-70重量％。
7.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中氟化氢∶四氢呋喃∶水的重量比值为0.1-50重量％∶30-99.9重量％∶0-70重量％。
8.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中氟化氢∶丙酮∶水的重量比值为0.1-50重量％∶30-99.9重量％∶0-70重量％。
9.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中氟化氢∶甲醇∶水的重量比值为0.1-50重量％∶30-99.9重量％∶0-70重量％。
10.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中氟化氢∶乙醇∶水的重量比值为0.1-50重量％∶30-99.9重量％∶0-70重量％。
11.根据权利要求1的蚀刻溶液，其中溶液含无机酸。
12.根据权利要求11的蚀刻溶液，其中无机酸的pKa值在25℃为2或更低。
13.根据权利要求11的蚀刻溶液，其中氟化氢∶氯化氢∶水的重量比值为00.1-50重量％∶1-36重量％∶0-99重量％。
14.根据权利要求11的蚀刻溶液，其中氟化氢∶硝酸∶水的重量比值为00.1-50重量％∶1-70重量％∶0-99重量％。
15.使用权利要求1-14中任一所定义的蚀刻溶液对需要蚀刻的物品进行蚀刻而生产蚀刻制品的方法。
16.根据权利要求15的方法得到的蚀刻制品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大金工业株式会社，未经大金工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99813592.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
