[发明专利]第IV副族元素的络合化合物

权利要求书

1.一种下列通式的络合物

          M(L)_x(R₃C-O-)_y-x其中

M是稳定的中心原子，它取自周期表第IV或V副族，

L是β-二酮盐、β-酮亚胺盐和/或β-二亚胺盐，

(R₃C-O-)是烷氧化物配位体，其中R可以是相同的或不同的，并表示碳原子为1-24的烷基，它可以是支链直链的，有时是取代的和/或络合的，

x不等于0，其值介于1-4之间，和

y不等于0，根据中心原子的氧化程度为2、3、4或5。

2.权利要求1的络合物，其中心原子为钽。

3.权利要求1或2的络合物，其中配位体L为2，2，6，6四甲基-3，5-庚二酮盐[thd]；乙酰丙酮盐(acac)；六氟戊二酮盐(hfac)；1，1，1-三氟-2，4-戊二酮盐(tfac)；6，6，7，7，8，8，8-七氟-2，2-二甲基-3，5-辛二酮盐；2，2，7-三甲基-3，5-辛二酮盐；1，1，1，5，5，6，6，7，7，7-十氟-2，4-庚二酮盐；和1，1，1-三氟-6-甲基-2，4-二酮盐。

4.上述权利要求之-的络合物，其中R是甲基和/或乙基。

5.上述权利要求之一的络合物，其中除4个烷氧化物配位体之外还有[thd]-配位体络合在中心原子上。

6.一种用于SBT淀积的前体组合，它包括下列化合物：

-Sr(thd)₂(pmdeta)或Sr(thd)₂(四甘醇二甲醚)，

-Bi(thd)₂，和

-Ta(thd)(OtBu)₄或Ta(thd)(OtPe)₄。

7.权利要求1-5之一的络合物在淀积铁电体SrBi₂Ta₂O₉层时作为前体的应用。

8.权利要求1-5之一的络合物在淀积高εTa₂O₅层时作为前体的应用。

9.权利要求1-5之一的络合物在制造FRAMS和/或DRAMS时作为前体的应用。