[发明专利]光波导的制作方法

权利要求书

1.一种用于处理波导结构的方法，其中波导结构包括：

硅衬底，它具有一集成的肋形波导，波导具有一个带小平面的端部，此端部悬伸出硅衬底，并在其下侧具有一层从波导小平面伸出的氧化物层，还具有一层在波导上表面和小平面上延伸的氮化物层，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

i)执行氧化物蚀刻步骤，从下侧去除氧化物层；

ii)执行氧化物生长步骤，在下侧的外露硅上形成一层新的氧化物层，所述新的氧化物层在小平面处终止；

iii)执行氮化物蚀刻步骤，去除氮化物层；以及

iv)沉积一层新的氮化物层，它在上表面和小平面上延伸，但不突出在小平面之外，从而在小平面上制成氮化硅。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，波导结构在小平面上有一层不希望有的氧化物层，并且该方法在步骤(iii)之后包括一附加步骤(v)，即去除所述不希望有的氧化物层。

3.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(iv)是一个敷层沉积步骤。

4.按照权利要求1，2或3所述的方法，其特征在于，控制新的氮化物层的厚度，以便控制小平面的光学性能。

5.一种用于在硅-绝缘体晶片上制作波导结构的方法，其中所述波导结构包括一硅衬底，一层在硅衬底顶上的氧化物层，以及一层在氧化物层顶上的外延硅，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在外延层上限定一个肋形波导；

在波导端部，蚀刻位于肋形波导任何一侧的外延层，以暴露出掩埋氧化物层；

相继在肋形波导上沉积氧化物层和氮化物层；

底切端部，在硅衬底中形成V型槽，便于将一光纤和波导结构对准，所述底切步骤留下一部分不希望有的掩埋氧化物，其延伸到肋形波导小端面之外；以及

用权利要求1-4中任何一项限定的方法来处理波导结构。

6.一种用于处理波导结构的方法，其特征在于，所述方法基本上如前参考附图所述和如附图所示。