[发明专利]减轻由于金属氧化物陶瓷的移动物质扩散造成的金属氧化物陶瓷退化

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包括部分形成的半导体器件的衬底；

在下电极上淀积金属氧化物陶瓷，其中所说金属氧化物陶瓷包括特别选择的组分以减少过量物质扩散；及

退火衬底，形成具有良好电特性的金属氧化物陶瓷。

2.根据权利要求1的方法，其中所说金属氧化物陶瓷包括表示为Y_aBi_bX₂O_c的Bi基金属氧化物陶瓷，其中Y包括二价正离子，X包括5价正离子。

3.根据权利要求2的方法，其中Y包括选自包括Sr、Ba、Pb和Ca的至少一个元素，X包括选自包括Ta和Nb的组中的至少一个元素。

4.根据权利要求2的方法，其中Bi基金属氧化物陶瓷包括一般表示为Sr_aBi_bTa₂O_c的钽酸锶铋(SBT)。

5.根据权利要求2的方法，其中金属氧化物陶瓷包括SBT的衍生物。

6.根据权利要求5的方法，其中SBT的衍生物选自包括Sr_aBi_bTa_2-xNbO_c(0＜x＜2)、Sr_aBi_bNb₂O_c、Sr_a-xBa_zBi_bTa_2-yNb_yO_c(0≤x≤1，0≤y≤2)、Sr_a-xCa_xBi_bTa_2-yNb_yO₉(0≤x≤a，0≤y≤2)、Sr_a-xPb_xBi_bTa_2-yNb_yO_c(0≤x≤a，0≤y≤2)或Sr_a-x-y-zBa_xCa_yPb_zBi_bTa_2-pNb_pO_c(0≤x＋y＋z≤a，0≤p≤2)的组中。

7.根据权利要求2的方法，其中Bi基氧化物包括选自包括镧系的组中的一种金属。

8.根据权利要求2的方法，其中b值等于或小于约2.4，以减少过量移动物质的扩散。

9.根据权利要求2的方法，其中b值等于约1.95-2.2。

10.根据权利要求2的方法，其中组分中的b值等于约2.0-2.2。

11.根据权利要求9的方法，其中a值等于约0.8-1.0，以减少过量移动的扩散。

12.根据权利要求9的方法，其中a值等于约0.9-1.0。

13.根据权利要求4的方法，其中SBT中的b值等于或小于约2.4，以减少过量移动物质的扩散。

14.根据权利要求4的方法，其中SBT中的b值等于约1.95-2.2。

15.根据权利要求4的方法，其中SBT中的b值等于约2.0-2.2。

16.根据权利要求14的方法，其中SBT中的a值等于约0.8-1.0，以减少过量移动的扩散。

17。根据权利要求14的方法，其中SBT中的a值等于约0.9-1.0。

18.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包括部分形成的半导体器件的衬底；

在衬底上形成下电极；

在下电极上淀积阻挡层；

在阻挡层上淀积金属氧化物陶瓷；及

退火衬所说底，形成具有良好电特性的金属氧化物陶瓷，退火造成过量移动物质从金属氧化物陶瓷扩散，阻挡层与所说过量移动物质反应。