[发明专利]用于绝缘体上硅结构多米诺电路中双极性消除的方法与装置有效
申请号: | 99816482.8 | 申请日: | 1999-08-27 |
公开(公告)号: | CN1156980C | 公开(公告)日: | 2004-07-07 |
发明(设计)人: | 安德鲁·D·达维斯;萨尔瓦特·N·斯特里诺;杰弗·V·特兰;罗伯特·R·威廉斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;H03K19/094 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 绝缘体 结构 多米诺 电路 极性 消除 方法 装置 | ||
【说明书】:
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