[发明专利]结构晶片表面的改善方法

权利要求书

1.表面改善方法，其特征在于它包括下述步骤：

(a)将要改善的表面与磨具的工作表面接触，该磨具包含具有第一相和第二相的相分离聚合物，其第一相比第二相硬；

(b)将要改善的表面和固定的磨具作相对运动，在不用磨料浆液的条件下从要改善的表面上除去材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的相分离聚合物的破坏功大于从晶片表面除去的材料的破坏功。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述相分离聚合物的第一相比从所述晶片表面除去的材料硬。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的相分离聚合物是嵌段共聚物，选自A-B双嵌段共聚物、A-B-A三嵌段共聚物、A-B-A-B四嵌段共聚物和A-B多嵌段共聚物和星型嵌段共聚物。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的相分离复合物是苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物或苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于所述的相分离聚合物中苯乙烯的存在量足以形成平均直径约50-100埃的硬链段。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于固定的所述磨具还包括上面有研磨层的背衬，该研磨层包含相分离聚合物。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于所述的背衬包括聚合物薄膜和用于提高所述研磨层和所述背衬间粘附力的底涂层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述有织构的磨具的表面是易侵蚀的。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述固定的磨具包含以预定图案排列的许多研磨复合体。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述的研磨复合体的形状选自立方形、圆柱形、棱柱形、棱锥形、顶部切去的棱锥形、圆锥形、顶部切去的圆锥形、有平顶面的类柱形、半球形和它们的组合。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于研磨复合体是互相隔开的。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述固定的磨具包括背衬，该背衬具有包含涂层形式的所述研磨复合体的表面，各个研磨复合体相对于背衬的取向基本相同。

14.如权利要求14所述的方法，其特征在于所述的磨具固定在一个垫子上。