[发明专利]衰减电磁干扰的方法和装置无效
申请号: | 99816809.2 | 申请日: | 1999-07-19 |
公开(公告)号: | CN1362006A | 公开(公告)日: | 2002-07-31 |
发明(设计)人: | 威廉·E·柯伦;约瑟夫·C·怀布尔;迈克尔·T·伊根 | 申请(专利权)人: | 柯伦公司(又名林德格润RF容器公司) |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 顾红霞,朱登河 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衰减 电磁 干扰 方法 装置 | ||
1.一种EMI衰减装置,其特征在于,它包括:
a)一个在空间上邻近一个第二导电平面件并与之间隔一个第一距离布置的第一导电平面件;和
b)一个在空间上邻近所述第二导电平面件并与之间隔一个第二距离布置的第三导电平面件。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一距离与所述第二距离彼此相等。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一距离与所述第二距离彼此不同。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述邻近表面彼此平行。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,至少两个所述邻近表面彼此不平行。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括一个第四平面件,其邻近所述第三平面件并远离第一平面件布置。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电平面件包括布置为矩形阵列的材料。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述衰减为大约90到120dB。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述平面件为具有网孔结构的屏蔽栅,每个所述网孔结构是格栅并具有一定网孔目数。
10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述第一导电平面件的网孔目数小于所述第二导电平面件的网孔目数。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述第二导电平面件的网孔目数小于所述第三导电平面件的网孔目数。
12.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述三个导电平面件的网孔目数在每英寸8到200之间。
13.如权利要求1所述的装置,其特征在于,分隔所述第一表面和所述第二表面的所述距离在1/3英寸到30英寸之间。
14.如权利要求1所述的装置,其特征在于,分隔所述第一表面和所述第二表面的所述距离在1/3英寸到12英寸之间。
15.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电材料是光学透明的。
16.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电材料是金属化的光学透明基片。
17.如权利要求16所述的装置,其特征在于,所述光学透明基片选自下述组中,该组包括玻璃、塑料、编织结构材料、栅格材料或它们的组合。
18.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电平面件具有低于每平方12欧姆的电阻。
19.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所有邻近平面件彼此都不平行。
20.如权利要求1所述的装置,其特征在于,选择所述第一距离和所述第二距离,以使在预定EMI频率下的EMI衰减最大化。
21.如权利要求1所述的装置,其特征在于,选择所述第一距离以获得在特定EMI频率下的第一衰减水平,选择所述第二距离来对所述特定频率下的EMI进行附加衰减。
22.如权利要求1所述的装置,其特征在于,选择所述第一距离和所述第二距离,以使在预定频率范围之上的EMI衰减最大化。
23.一种衰减电磁辐射的方法,包括以下步骤:使得辐射进入多个具有不同尺寸和不同共振频率的共振腔中,以便在一个特定空腔内的辐射共振被所述的其它共振腔阻止。
24.如权利要求23所述的方法,其特征在于,所述共振腔包括:
a)一个第一导电平面;
b)一个邻近所述第一表面布置的第二导电平面,以便形成包括分隔所述第一和所述第二表面的第一距离的第一限定空间;以及
c)一个邻近所述第二表面并远离第一表面布置的第三导电平面,以便形成包括分隔所述第二和所述第三表面的第二距离的第二限定空间。
25.如权利要求23所述的方法,其特征在于,还包括一个邻近所述第三表面并远离所述第一表面布置的第四导电表面,以便形成一个第三限定空间。
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