[发明专利]旋转阀磁阻传感器和带有这种旋转阀磁阻传感器的磁头无效
| 申请号： | 00101159.6 | 申请日： | 2000-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1268733A | 公开（公告）日： | 2000-10-04 |
| 发明（设计）人： | 野间贤二;金井均;兼淳一;青岛贤一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/00 | 分类号： | G11B5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种旋转阀磁阻传感器,包括自由层(2);被栓接层(4),提供在自由层(2)上;及栓接层(5),提供在被栓接层(4)上。被栓接层(4)包括铁磁性材料的第一被栓接层(4c);铁磁性材料的第二被栓接层(4a),提供在第一被栓接层(4c)上;及中间层(4b),插入在第一与第二被栓接层(4c、4a)之间,从而第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 磁阻 传感器 带有 这种 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种旋转阀磁阻传感器，包括：一个一种铁磁性材料的自由层(2)；一个非磁性层(3)，提供在所述自由层(2)上；一个被栓接层(4)，提供在所述非磁性层(3)上；及一个一种反铁磁性材料的栓接层(5)，提供在所述被栓接层(4)上，所述反铁磁性材料是含锰的有序合金；其特征在于：所述被栓接层(4)包括：一个一种铁磁性材料的第一被栓接层(4c)；一个一种铁磁性材料的第二被栓接层(4a)，提供在所述第一被栓接层(4c)上；及一个中间层(4b)，插入在所述第一与第二被栓接层(4c、4a)之间，从而所述第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。所述第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。
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