[发明专利]单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法有效

专利信息
申请号: 00101821.3 申请日: 2000-01-29
公开(公告)号: CN1307366A 公开(公告)日: 2001-08-08
发明(设计)人: D·陈;T·C·许;X·何 申请(专利权)人: 全视技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 与CMOS技术兼容的具有两条或更多读出线新结构的单片CMOS图像传感器,可在不用外部延迟线的前提下,从相邻两行像素同时读出行信号以得到其组合。传感器包含重叠的滤色图案的像素阵列,两或多行读出的结构。读出结构包含存储像素信号的电容,从中读出信号的方法使不同行像素信号可组合。读出结构在像素阵列外,可同像素阵列做在同一CMOS芯片。采用偶数场读出偶数行、奇数场读出奇数行的高灵敏度隔行结构,器件整体灵敏度加倍。
搜索关键词: 单片 彩色 金属 氧化物 半导体 图像传感器 相邻 读出 方法
【主权项】:
1.一种对单片彩色MOS图像传感器读出相邻行的方法,该传感器有一个像素阵列,由许多像素按照许多行和许多列组织起来。所指方法由以下步骤组成:(a)把像素阵列中第一行的每个像素的信号存储到与所指第一行的所指每个像素相关的至少一个存储单元中,该单元在所指像素的外面并与像素制作在同一个MOS芯片上。(b)把像素阵列中第二行的每个像素的信号存储到与所指第二行的所指每个像素相关的至少一个存储单元中,该单元在所指像素的外面并与像素制作在同一个MOS芯片上。(c)选择性地读出至少一个存储有像素信号的所指存储单元,从两个像素中读出信号,一个像素来自所指第一行,一个像素来自所指第二行。
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