[发明专利]单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法有效
申请号: | 00101821.3 | 申请日: | 2000-01-29 |
公开(公告)号: | CN1307366A | 公开(公告)日: | 2001-08-08 |
发明(设计)人: | D·陈;T·C·许;X·何 | 申请(专利权)人: | 全视技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 与CMOS技术兼容的具有两条或更多读出线新结构的单片CMOS图像传感器,可在不用外部延迟线的前提下,从相邻两行像素同时读出行信号以得到其组合。传感器包含重叠的滤色图案的像素阵列,两或多行读出的结构。读出结构包含存储像素信号的电容,从中读出信号的方法使不同行像素信号可组合。读出结构在像素阵列外,可同像素阵列做在同一CMOS芯片。采用偶数场读出偶数行、奇数场读出奇数行的高灵敏度隔行结构,器件整体灵敏度加倍。 | ||
搜索关键词: | 单片 彩色 金属 氧化物 半导体 图像传感器 相邻 读出 方法 | ||
【主权项】:
1.一种对单片彩色MOS图像传感器读出相邻行的方法,该传感器有一个像素阵列,由许多像素按照许多行和许多列组织起来。所指方法由以下步骤组成:(a)把像素阵列中第一行的每个像素的信号存储到与所指第一行的所指每个像素相关的至少一个存储单元中,该单元在所指像素的外面并与像素制作在同一个MOS芯片上。(b)把像素阵列中第二行的每个像素的信号存储到与所指第二行的所指每个像素相关的至少一个存储单元中,该单元在所指像素的外面并与像素制作在同一个MOS芯片上。(c)选择性地读出至少一个存储有像素信号的所指存储单元,从两个像素中读出信号,一个像素来自所指第一行,一个像素来自所指第二行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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