[发明专利]真空阀有效
| 申请号： | 00101829.9 | 申请日： | 2000-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1163926C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 奥富功;草野贵史;大岛岩;本间三孝;山本敦史;西村隆宣 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664;C23C14/00;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 作为接点，采用{W-CuxSb一余量Cu}合金；作为该合金中的耐电弧成分，采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85％的W或WMo；作为辅助成分，采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4％的CuxSb，x＝1.9～5.5，平均粒子间距为0.2～300um。另外，作为导电成分，采用Cu、CuSb固溶体，在该CuSb固溶体中存在0.5％以下呈固溶状态的Sb。结果使得，在受到电弧作用时，能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散，抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂，减轻W粒子的飞散脱落，减少接点表面的熔化和飞散损伤，并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 | ||
【主权项】：
1.一种真空阀，是具有平均粒径为1.5μm并且含量为75重量％的W和余量为Cu或CuSb合金的接点材料的真空阀，其特征在于，是含有粒径为7μm、平均粒子间距为25μm并且含有0.09～1.4重量％的Cu2Sb化合物的接点材料。
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