[发明专利]用有机和无机杂化材料作半导电沟道的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 00101884.1 | 申请日： | 2000-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1145218C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | K·肖德鲁迪斯;C·D·蒂米特拉科普洛斯;C·R·卡干;I·克米斯斯;D·B·米特兹 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的FET结构使用一种有机-无机杂化材料作器件的源和漏极之间的半导电沟道。该有机-无机杂化材料结合了无机结晶固体与有机材料的优点。无机成分构成延伸的无机一维、二维或三维网络，从而提供无机结晶固体的高载流子迁移率特性。有机成分有助于这些材料的自组合，并使这些材料能够利用例如旋涂、浸涂或热蒸发等简单的低温处理条件淀积。有机成分还用于通过限定无机成分的维数和无机单元间的电耦合，控制无机网格的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 无机 材料 导电 沟道 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：源区和漏区；在所说源和所说漏区间延伸的沟道层，所说沟道层包括半导电的有机-无机杂化材料；与所说沟道间隔相邻设置的栅区；及所说栅区和所说源区及沟道区之间的电绝缘层。
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