[发明专利]高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 00102468.X 申请日: 2000-03-10
公开(公告)号: CN1142450C 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 孙予罕;张晔;吴东;章斌;范文浩 申请(专利权)人: 中国科学院山西煤炭化学研究所
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10;G02B1/11
代理公司: 山西五维专利事务所有限公司 代理人: 李毅;魏树巍
地址: 03000*** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法,是将原料Si(OR)4、R′xSi(OR)4-x、无水乙醇、水和催化剂,按摩尔比Si(OR)4∶R′xSi(OR)4-x∶无水乙醇∶水∶催化剂=1∶0.1-5∶10-100∶1-10∶0.001-0.2在常温下搅拌均匀制成镀膜液,在温度为0-70℃下老化10-120天,采用常规的旋转镀膜法,提拉法和弯月面法进行单面或双面镀膜。本发明具有设备简单,制备条件温和,易操作,基底上镀本发明的膜层以后,透光率增加,疏水性能好,同时提高膜层的抗激光损伤阈值的优点。
搜索关键词: 激光 损伤 阈值 疏水 二氧化硅 制备 方法
【主权项】:
1.一种高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)镀膜液的制备将原料Si(OR)4、R′xSi(OR)4-x、无水乙醇、水和催化剂,按摩尔比Si(OR)4∶R′xSi(OR)4-x∶无水乙醇∶水∶催化剂=1∶0.1-5∶10-100∶1-10∶0.001-0.2在常温下搅拌均匀;其中x=1或2,R是甲基、乙基、丙基;R′是甲基、乙基、乙烯基或氟烷基;(2)老化,将镀膜液在老化温度为0-70℃下老化时间为10-120天;(3)镀膜,采用常规的旋转镀膜法,提拉法和弯月面法进行单面或双面镀膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院山西煤炭化学研究所,未经中国科学院山西煤炭化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00102468.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top