[发明专利]高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法无效
申请号: | 00102468.X | 申请日: | 2000-03-10 |
公开(公告)号: | CN1142450C | 公开(公告)日: | 2004-03-17 |
发明(设计)人: | 孙予罕;张晔;吴东;章斌;范文浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
主分类号: | G02B1/10 | 分类号: | G02B1/10;G02B1/11 |
代理公司: | 山西五维专利事务所有限公司 | 代理人: | 李毅;魏树巍 |
地址: | 03000*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 一种高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法,是将原料Si(OR)4、R′xSi(OR)4-x、无水乙醇、水和催化剂,按摩尔比Si(OR)4∶R′xSi(OR)4-x∶无水乙醇∶水∶催化剂=1∶0.1-5∶10-100∶1-10∶0.001-0.2在常温下搅拌均匀制成镀膜液,在温度为0-70℃下老化10-120天,采用常规的旋转镀膜法,提拉法和弯月面法进行单面或双面镀膜。本发明具有设备简单,制备条件温和,易操作,基底上镀本发明的膜层以后,透光率增加,疏水性能好,同时提高膜层的抗激光损伤阈值的优点。 | ||
搜索关键词: | 激光 损伤 阈值 疏水 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)镀膜液的制备将原料Si(OR)4、R′xSi(OR)4-x、无水乙醇、水和催化剂,按摩尔比Si(OR)4∶R′xSi(OR)4-x∶无水乙醇∶水∶催化剂=1∶0.1-5∶10-100∶1-10∶0.001-0.2在常温下搅拌均匀;其中x=1或2,R是甲基、乙基、丙基;R′是甲基、乙基、乙烯基或氟烷基;(2)老化,将镀膜液在老化温度为0-70℃下老化时间为10-120天;(3)镀膜,采用常规的旋转镀膜法,提拉法和弯月面法进行单面或双面镀膜。
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