[发明专利]半导体装置、用该装置的微传动机构、微阀和微继电器及其制法无效
申请号: | 00102737.9 | 申请日: | 2000-02-23 |
公开(公告)号: | CN1265451A | 公开(公告)日: | 2000-09-06 |
发明(设计)人: | 友成惠昭;吉田仁;镰仓将有;河田裕志;斋藤公昭;信时和弘;荻原淳;长尾修一 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | F16K31/64 | 分类号: | F16K31/64;F16K11/00;F16K7/00;H01H61/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体装置是由半导体基板3、可挠区域2、连接半导体基板3和可挠区域2的热绝缘区域7构成。所述热绝缘区域由热绝缘材料聚酰亚胺或氟系树脂构成。所述可挠区域连设的可动元件5,由具有不同热膨胀系数的薄壁部2S和薄膜部2M构成。在所述可挠区域2设置加热部件(例如扩散电阻6),当加热部件进行加热使所述可挠区域的温度变化时,所述可动元件5相对于所述半导体基板3变位。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 传动 机构 继电器 及其 制法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征是由半导体基板、根据温度变化相对于所述半导体基板变位的可挠区域、在所述半导体基板和所述可挠区域之间设置的连接所述半导体基板和所述可挠区域的树脂制的热绝缘区域构成。
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