[发明专利]用于铜互连的阻挡层的形成方法有效
| 申请号： | 00103663.7 | 申请日： | 2000-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1266279A | 公开（公告）日： | 2000-09-13 |
| 发明（设计）人： | 迪恩·J·丹宁;萨姆·S·加西亚;布拉德利·P·史密斯;丹尼尔·J·路普;格里高里·诺曼·汉米尔顿;MD·拉比欧·伊斯拉姆;布莱恩·G·安托尼 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;C23C14/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成铜镶嵌互连(图11)的方法,通过RF预清洗将镶嵌结构的角倒圆,减少了空洞形成,改善了台阶覆盖,同时不会从暴露铜互连表面显著去除铜原子。然后,淀积钽阻挡层,该层的一部分有比另一部分大的张力。在阻挡层上部上形成铜籽晶层。在用改进的夹具夹紧晶片的同时形成铜层,可以减少铜剥离和晶片边缘的沾污。然后用铜电镀和化学机械抛光工艺完成铜互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 阻挡 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在晶片(200)上形成阻挡层(220)的方法，该方法的特征在于：将晶片(200)置于处理室(40)中；在第一时间周期内给溅射靶(48)加电；在第二时间周期内给线圈(52)加电，其中第二时间周期不同于第一时间周期；及在淀积阻挡层(220)期间控制加于溅射靶(48)和线圈(52)上的功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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