[发明专利]动态随机存取存储器无效
| 申请号： | 00104745.0 | 申请日： | 2000-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1272688A | 公开（公告）日： | 2000-11-08 |
| 发明（设计）人： | U·格吕宁;J·贝恩特纳;S·哈勒;J·A·曼德尔曼;C·J·拉登斯;J·维特曼;J·J·韦尔泽 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法包括在半导体本体中形成沟槽电容。凹槽形成在电容的上面部分中。第一材料淀积在侧壁上和凹槽的底部上。第二材料淀积在第一材料上。掩膜提供在第二材料上。有选择地去掉部分的第二材料部分同时保留第一材料。有选择地去掉第一材料的暴露部分和半导体本体的下面部分。在半导体本体的去掉部分中形成绝缘区。在暴露的下面部分的半导体本体上刻蚀以形成浅沟槽。绝缘材料形成在浅沟槽中。这种方法允许较大的掩膜不对准裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：(a)形成在半导体本体中的沟槽电容；(b)形成在电容上面部分的凹槽，这种凹槽具有在半导体本体中的侧壁；(c)在凹槽的侧壁上和底部上淀积第一材料；(d)在第一材料上淀积第二材料；(e)在第二材料上提供掩膜，这种掩膜具有：覆盖所述凹槽底部的一个部分的掩膜区；和在一部分所述凹槽侧壁和另一部分所述凹槽底部上的窗口，以暴露出下面的第二材料部分；(f)有选择地部分去掉暴露的下面的第二材料部分，同时保留基本上未刻蚀暴露出的下面的第一材料部分；(g)有选择地去掉暴露部分的第一材料和下面部分的半导体本体；(h)在移去部分的半导体本体中形成绝缘区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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