[发明专利]改善光刻胶耐刻蚀性的方法无效
| 申请号： | 00105367.1 | 申请日： | 2000-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1268678A | 公开（公告）日： | 2000-10-04 |
| 发明（设计）人： | U·P·施勒德尔;G·昆克尔;A·古特曼;B·斯普勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景朝,钟守期 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种光刻胶体系,它易于构造并宜于深紫外区形成图样。在以光刻法产生光刻胶结构时,通过用刻蚀保护剂处理,增强对含氧等离子体的耐刻蚀性。该蚀保护剂包括能与光刻胶反应活性基团发生化学反应的甲硅烷基化剂。在一种实施方案中,光刻胶包含最初不含芳族基团的基本树脂。甲硅烷基化剂包括四氯化硅、四氟化硅、三氯硅烷、二甲基氯硅烷和六甲基二硅氮烷。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 光刻 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.产生光刻结构的方法，包括：a)提供含基本树脂和对光化辐射作出响应的光活性组分的光刻胶，所述基本树脂含有被保护的活性部位，在脱去保护后能提供反应活性部位；b)将所说的光刻胶涂布到底材上；c)将所说的光刻胶成图样面，对所说光化射线的有效剂量选择性曝光；d)将所说的光刻胶暴露于显影剂中，产生带有图样的光刻胶；然后e)将基本树脂的被保护的活性部位脱去保护，提供化学反应活性的部位；然后f)将步骤(e)产生的反应活性部位与含有甲硅烷基化剂的刻蚀保护剂反应，将刻蚀保护剂结合入基本树脂的结构中；以及g)刻蚀底材。
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