[发明专利]改进动态随机存取存储器工艺的氮化物衬里隔离轴环无效
| 申请号： | 00105381.7 | 申请日： | 2000-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1279509A | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | C·格赖曼;C·A·马祖雷;C·迪赛尔多夫;A·舒尔兹 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造沟槽单元电容的方法,该电容用于构成DRAM单元。在一个实施例中,在半导体衬底中制造一个沟槽。给沟槽衬里一介质层,例如ONO层。然后在沟槽上部消除一氧化层来产生一个轴环。氧化层上有氮化层。然后在沟槽中填入半导体材料。例如,可用外延生长的半导体填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 动态 随机存取存储器 工艺 氮化物 衬里 隔离 | ||
【主权项】：
1．一种在半导体本体中制作沟槽单元电容的方法，该方法包括：在半导体衬底中形成一个沟槽，沟槽包括上下两部分；用介质层给沟槽加入一个衬里；在衬里沟槽后，通过在沟槽上部分制造一层氧化层和在氧化层上淀积一氮化层来在沟槽上部分形成一个轴环；往所述沟槽中填充半导体材料至基本填充沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术北美公司，未经因芬尼昂技术北美公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00105381.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
