[发明专利]镶嵌腐蚀方法中各向异性氮化物的腐蚀工艺无效
| 申请号： | 00106557.2 | 申请日： | 2000-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1271871A | 公开（公告）日： | 2000-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黛安娜·C·博伊德;斯图尔特·M·伯恩斯;赫赛恩·I·汉纳菲;沃尔德玛·W·科肯;威廉·C·威利;理查德·怀斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在多层结构的氮化硅层中各向异性地腐蚀沟槽的工艺和腐蚀剂气体组分。此腐蚀剂气体组分具有包括聚合剂、氢源、氧化剂和稀有气体稀释剂的腐蚀气体。氧化剂最好包括含碳的氧化剂组分和氧化剂－稀有气体组分。控制等离子体的方向性的电源与用来激活腐蚀剂气体的电源隔离。在制造金属氧化物半导体场效应晶体管的工艺中的氮化物腐蚀步骤中,可以使用此腐蚀剂气体。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 腐蚀 方法 各向异性 氮化物 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种在包括(i)衬底；(ii)制作在所述衬底上的氧化硅层；(iii)制作在所述氧化层上的氮化硅层；以及(iv)制作在所述氮化硅层上并确定窗口以便为镶嵌腐蚀暴露部分所述氮化硅层的多层结构的氮化硅层中各向异性地腐蚀沟槽的工艺，所述工艺包含下列步骤：激活含有聚合剂、氢源、氧化剂和稀有气体稀释剂的腐蚀气体以形成高密度等离子体，其中所述腐蚀剂气体相对于所述氧化硅层和所述光刻胶层，具有高的氮化物选择性；以及引入所述高密度等离子体，以便腐蚀所述氮化硅层的暴露部分，从而形成延伸到所述氧化硅层的所述沟槽。
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