[发明专利]磁记录装置和磁记录方法有效

专利信息
申请号: 00106879.2 申请日: 2000-03-15
公开(公告)号: CN1267054A 公开(公告)日: 2000-09-20
发明(设计)人: 喜喜津哲;市原胜太郎 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B11/105 分类号: G11B11/105;G11B5/62
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种磁记录装置,具有磁记录介质(10),该磁记录介质(10)具有在衬底(11)上形成的记录层(13);加热单元(40);和磁记录单元(30)。磁记录介质(10)、加热单元(40)和磁记录单元(30)构成为满足下面的关系T/RKu(T)<11200/(ln(t)+20.72)。其中,Ku(T)是记录层(13)在温度为T时的磁各向异性能量密度,并且Ku(Ta)是记录层在环境温度下的磁各向异性能密度,RKu(T)表示比值Ku(T)/Ku(Ta),t表示在磁场施加完成后所经过的时间。
搜索关键词: 记录 装置 方法
【主权项】:
1.一种磁记录装置,包括:磁记录介质(10),其具有在衬底(11)上形成的记录层(13),所述记录层(13)由磁微粒和在磁微粒间形成的非磁性材料组成;加热单元,用来加热记录层(13);以及磁记录单元(30),用来把磁场施加到记录层(13)上;其特征在于,将所述磁记录介质(10)、所述加热单元和所述磁记录单元(30)构成为满足下面的关系:T/RKu(T)<11200/(ln(t)+20.72)其中,Ku(T)是记录层(13)在温度T时的磁各向异性能量密度,并且Ku(Ta)是记录层在环境温度下的磁各向异性能量密度,RKu(T)表示比值Ku(T)/Ku(Ta),而t表示在完成磁场施加后所经过的时间。
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