[发明专利]多发射区扩散层接触孔圆形构造无效
| 申请号： | 00107399.0 | 申请日： | 2000-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1324112A | 公开（公告）日： | 2001-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈庆丰 | 申请（专利权）人： | 北京普罗强生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明为一种多发射区扩散层接触孔圆形构造,即一种可大大缩小半导体晶粒体积,缓和发射区扩散层弯折边缘电流集中现象。其主要特征为在多边形(含圆形)的各个发射区扩散层上设有数条浅凹交集,用以分割该发射区扩散层,使其发射区扩散层接触孔变小而提高阻抗与金属接触;该数条浅凹内又设置由二氧化碳、氮化碳、磷碳玻璃所构成的阻碍物质,从而达到缩小半导体晶粒体积,大幅降低生产成本的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 多发 扩散 接触 圆形 构造 | ||
【主权项】：
1、一种多发射区扩散层接触孔圆形构造，其於多边形(含圆形)的各个发射区扩散层上设有数条浅凹交集，以分割该发射区扩散层，而使其发射区扩散层接触孔更加变小而提高阻抗与金属接触，又该数条浅凹内设置由二氧化碳、氮化碳、磷碳玻璃所构成阻碍物质，使本发明可缩小半导体晶粒一半体积，因而可大幅降低生产成本；
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