[发明专利]特超声清洗半导体晶片中的去离子水温控去气无效
| 申请号： | 00108988.9 | 申请日： | 2000-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1276271A | 公开（公告）日： | 2000-12-13 |
| 发明（设计）人： | S·库德尔卡;D·拉斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | B08B3/10 | 分类号： | B08B3/10;B08B3/12;B08B7/04;C02F1/00;C23G1/00;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,傅康 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一个制备去离子水的系统,去离子水在如50—85℃的热的温度和伴随的如大气压的压力下含有100%饱和浓度的气体,如氮气,用以清洗半导体晶片如硅片。在配有真空泵和压力传感器的去气室中对在如15—30℃的低温下含有预定气体浓度的去离子水进行气体浓度调节,使在低温下气体的欠饱和浓度相当于在高温和伴随的压力下的饱和浓度。然后,调节了气体浓度的水被加热至高温,以在清洗罐中形成具有饱和气体浓度的热浴来清洗晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 超声 清洗 半导体 晶片 中的 离子水 温控 | ||
【主权项】：
1.一种制备去离子水的方法，在选定的清洗高温和随之选定的压力下，去离子水中溶有基本上100％饱和浓度的无反应清洗增强气体，用于清洗半导体晶片，这个方法包括以下步骤：调节去离子水中溶解的无反应清洗增强气体的浓度，去离子水在预定的初始低温下溶有预定初始浓度的所说气体，以提供在所说的初始低温下去离子水中溶有调节过的欠饱和浓度的所说气体，其对应于在所说的清洗温度和压力下基本实质上溶有100％饱和浓度的所说气体；和充分加热所得的调节了气体浓度的去离子水来调节其温度，以形成去离子水热浴，在所说的清洗温度和压力下，水中基本上溶有100％饱和浓度的所说气体，用以清洗半导体晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司，未经因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00108988.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
