[发明专利]具有电容元件的半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件,包括具有隔离槽的半导体衬底;在隔离槽内的隔离膜,隔离膜具有比隔离槽浅的槽电容元件的下电极,被掩埋在隔离膜中的浅槽内;绝缘膜,包括电容介质膜和在栅绝缘膜;在电容介质膜上的电容元件的上电极在栅绝缘膜上的栅极,其中上电极和栅极具有基本上一致的水平面;和在半导体衬底上的表面平面化层间绝缘体,以便上电极和栅极完全被掩埋在表面平面化层间绝缘体内。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有隔离槽的半导体衬底；在所述隔离槽内的隔离膜，所述隔离膜具有比所述隔离槽浅的槽；电容元件的下电极，被掩埋在所述隔离膜中的所述浅槽内；绝缘膜，包括在所述下电极和所述隔离膜上的所述电容元件的电容介质膜和在所述半导体衬底上的栅绝缘膜；在所述电容介质膜上的所述电容元件的上电极；在所述栅绝缘膜上的栅极，其中所述上电极和所述栅极具有基本上一致的水平面；和在所述半导体衬底上的表面平面化层间绝缘体，以便所述上电极和所述栅极完全被掩埋在所述表面平面化层间绝缘体内。