[发明专利]纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法无效
| 申请号： | 00114425.1 | 申请日： | 2000-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1264687A | 公开（公告）日： | 2000-08-30 |
| 发明（设计）人： | 武七德;魏明坤;王怀德;韩建军;洪小林 | 申请（专利权）人： | 武汉工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573 |
| 代理公司： | 湖北省专利事务所 | 代理人： | 王玉华,盛亚仙 |
| 地址： | 430070 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种用水为分散剂,以纯碳粉取代碳化硅粉制造高性能反应烧结碳化硅陶瓷的方法,采用添加外加剂的方法制成高分散的水基泥浆(料),采用注浆、挤塑、凝胶注成型的方法制成生坯,用控制粉料粒径以及烧蚀剂、填充剂加入量的方法,调整生(素)坯的孔径分布和单位体积碳含量,生坯经干燥后,经1550～21650℃真空下或1850～2050℃氩气气氛下渗硅烧结2小时,制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 碳粉 分散 一步法 制造 反应 烧结 碳化硅 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用纯碳粉水基分散一步烧结法制造反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法，其特征在于：以工业碳素材料、石墨纯碳粉为原料，经1000～1200隔氧焙烧，保1～4小时，将焙烧焦粗碎至1～2mm，加水分散剂、粘结剂、塑化剂、消泡剂经球磨，稀释后，水力旋流器分级，得d90＝45μm，d10＝5μm的碳粉泥浆；将该泥浆采用湿法成型法制成生坯；将生坯自然阴干和110℃烘干后，置于感应炉中的石墨坩埚内，按碳∶硅＝1∶2.5比例加入粒径为5～15mm的硅粉，将生坯掩埋，在真空下以150～200℃/h的速度升温至1550～1650℃，保温1-2h止火或1800～2050℃氩气保护常压下气相渗硅，而制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。
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