[发明专利]梯度线圈及其制造方法以及磁共振成像装置无效
| 申请号： | 00118643.4 | 申请日： | 2000-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1279928A | 公开（公告）日： | 2001-01-17 |
| 发明（设计）人： | 后藤隆男 | 申请（专利权）人： | 通用电器横河医疗系统株式会社 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055;G01R33/38;G01R33/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为降低屏蔽线圈中的电流损耗和热量释放,使用其绕线被定位于仅相应于高绕线密度区1Zp,而不是相应于主梯度线圈1Zt和1Zb的整个绕线区的部分屏蔽线圈1Zts和1Zbs。 | ||
| 搜索关键词： | 梯度 线圈 及其 制造 方法 以及 磁共振 成像 装置 | ||
【主权项】：
1．一种用于MRI装置的梯度线圈，包括插在主梯度线圈与磁性构件之间的部分屏蔽线圈，所述部分屏蔽线圈的绕线位置仅定位在一高绕线密度区，该区域的一部分中的主梯度线圈的绕线密度是最高的。
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