[发明专利]获取理想态高能单极磁场的方法和装置无效
申请号: | 00119041.5 | 申请日: | 2000-10-19 |
公开(公告)号: | CN1350309A | 公开(公告)日: | 2002-05-22 |
发明(设计)人: | 王文胜;苗延陆;任素强 | 申请(专利权)人: | 苗延陆 |
主分类号: | H01F13/00 | 分类号: | H01F13/00;B01J19/00;C02F1/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210002 江苏省南京市常府街85*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 获取理想态高能单极磁场的方法和装置,属机械工程磁化技术领域。在磁体的一端附着一导磁性能较好的铁磁性材料或者超导材料,在磁体的另一端,跨越工作区设置另一铁磁性材料或者超导材料,从而形成磁力线矢量趋于一致的理想态高能单极工作磁场。本发明可广泛应用于大型石化行业循环水处理,机动车辆、船舶(发动机)绿色节能燃油催化等技术领域,高效节能,无污染,安装、调试、拆卸方便安全。 | ||
搜索关键词: | 获取 理想 高能 单极 磁场 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.获取理想态高能单极磁场的方法,其特征是在磁体的一端附着一导磁性能较好的铁磁性材料或者超导材料,在磁体的另一端,跨越工作区设置另一铁磁性材料或者超导材料,从而形成磁力线矢量趋于一致的工作磁场。
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