[发明专利]深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法无效
| 申请号： | 00119595.6 | 申请日： | 2000-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1137287C | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王东平;王文辉;李铁;杨艺榕;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所;浙江大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;B81B5/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 费开逵 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法，针对深反应离子刻蚀技术在制作具有可动结构的器件中出现的可动结构释放后即受到较大破坏的问题，采用牺牲层固定可动结构，使器件可动结构在进行深反应离子刻蚀工艺时始终保持静止不释放状态以保护可动结构的完整性，而采用后续的无损去牺牲层方法释放可动结构并最终完成器件的制作，提高可动器件制作中的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 离子 刻蚀 技术 中可动 结构 牺牲 保护 方法 | ||
【主权项】：
1、一种深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法，其特征在于采取以下步骤：(1)、采用牺牲层固定可动结构，(2)、使器件可动结构在进行深反应离子刻蚀工艺时始终保持静止不释放状态以保护可动结构的完整性，(3)、采用后续的无损去牺牲层方法释放可动结构并最终完成器件的制作。
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