[发明专利]衬底结隔离型硅集成电感及其制法无效
| 申请号： | 00119635.9 | 申请日： | 2000-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1281231A | 公开（公告）日： | 2001-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;陈学良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01F41/00;H01L21/70 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 肖剑南 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种衬底结隔离型硅集成电感及其制法,主要是在硅基片上先形成氧化层,并按一定图形结构形成离子注入窗口,经过离子注入及隔离推进,在硅衬底中形成交替间隔的P型和N型区域,最后由常规工艺在硅上形成二层金属布线而成。这种在硅衬底中具有交替间隔的P型和N型区域的硅集成电感,可以有效地隔断其中的涡流,从而提高品质因素,其制造工艺不仅简洁,而且还与常规硅集成电路工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 隔离 集成 电感 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种衬底结隔离型硅集成电感，包括在硅上形成的两层金属布线，其中一层金属呈螺旋形，在两层金属之间通过介质孔连接，其特征是，在硅衬底中形成交替间隔的P型和N型区域。
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