[发明专利]带锡锑中间层的钛基二氧化铱电极无效
| 申请号： | 00119691.X | 申请日： | 2000-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1339618A | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 黄永昌;向前 | 申请（专利权）人： | 黄永昌;向前 |
| 主分类号： | C25B11/10 | 分类号： | C25B11/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 200030 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的带锡锑中间层的钛基二氧化铱电极,它包括(1)钛基体;(2)由IrO2和金红石晶体结构的Zr、Ta、Sn、Co的氧化物以及铂族元素组成的复合金属氧化物涂层,和(3)位于钛基体和金属氧化物涂层之间的锡锑中间层。这种电极具有使用寿命长、电化学性能更优、和成本低廉的优点。本发明还提供了该电极的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 带锡锑 中间层 钛基二 氧化 电极 | ||
【主权项】：
1.一种不溶性电极，其特征在于，它包括：钛基体；由IrO2和金红石晶体结构的Zr、Ta、Sn、Co的氧化物以及铂族元素组成的复合金属氧化物涂层，该涂层的成分以金属原子百分比计为：XIrO2·YMOm·ZNOn式中，X＝2％-98％，Y＝10％-95％，Z＝1％-10％；m＝1-5，n＝1-2；M为选自Zr、Ta、Sn、Co的一种或多种元素，N为选自Pt，Pd的一种或多种元素。
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