[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法和动作方法

摘要

实现微细化、提高动作速度并降低绝缘膜缺陷密度的集成电路装置具有衬底中的阱101;阱中的源极/漏极扩散层;在衬底上通过绝缘膜形成的浮置栅极;和浮置栅极之间存在着绝缘膜而形成的控制栅极;连接上述控制栅极的字线;和上述半导体衬底、浮置栅极、控制栅极之间存在着绝缘膜而形成、且与辅助栅极和控制栅极不同的第3栅极,被形成为埋入到位于与字线和沟道垂直的方向上的浮置栅极的间隙内。

主权项

1．一种半导体集成电路装置，具有：在半导体衬底的主面上形成的第1导电类型的阱；在上述阱内在第1方向上延伸形成的第2导电类型的半导体区域；在上述半导体衬底上通过第1绝缘膜形成的第1栅极；在上述第1栅极上通过第2绝缘膜形成的第2栅极；和上述第1栅极之间存在着第3绝缘膜而形成的第3栅极，上述第3栅极被形成为在上述第1方向上延伸，并形成为埋入到上述第1栅极的间隙内。