[发明专利]薄膜谐振器装置及其制作方法无效
| 申请号： | 00121944.8 | 申请日： | 2000-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1283895A | 公开（公告）日： | 2001-02-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·詹姆斯·曼弗拉;劳伦·内尔·普雷弗尔;肯尼斯·威廉·韦斯特;黄耀萱 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04;H03H3/10;H03H9/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用改进的压电膜制成一薄膜谐振器(TFR),改进的压电膜是在生长表面上外延生长的,得到的压电膜有很少晶粒边界。外延生长是指,压电膜有一结晶学取向,它取自或仿照一单晶衬底或生长表面的结晶学取向。例如,在以单晶硅衬底为生长表面上外延生长的压电膜,可以制作有很少或没有晶粒边界的改进的压电膜。按照本发明的另一个方面,披露了制作TFR的一种方法,其中,压电膜是在一衬底上生长的。随后,除去衬底的一部分,最后在压电膜的两侧淀积电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 谐振器 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1．一种制作薄膜谐振器装置的方法，所述方法的特征为包括步骤：提供一生长表面(40)；和在所述生长表面(40)上外延生长一压电膜(46)，直至其厚度给出所述薄膜谐振器的谐振频率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗迅科技公司，未经朗迅科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00121944.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
