[发明专利]带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管无效
| 申请号： | 00122233.3 | 申请日： | 1991-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1323070A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 贝德诺茨·J·乔治;曼哈特·J·迪特尔;米勒·C·亚历山大 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的场效应晶体管由作为栅极的导电性基底(2)、一个绝缘势垒层(3)和势垒层(3)上的一个超导沟道层(1)所组成。超导层(1)附装着一对相距一定距离的电极(4,5),分别构成源极和漏极,基底上设有一个适当的栅极接点。基底(2)由与势垒层(2)属于同一结晶体群的材料所构成。在本发明的一个最佳实施例中,基底(2)是一个掺铌的钛酸锶,势垒层(3)是一个无掺杂元素的钛酸锶,超导体(1)是一个薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 倒置 misfet 结构 超导 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1．一种超导体场效应晶体管，其特征在于包括：一个导电性基底，由某结晶体群中的第一材料的单晶体组成，所述晶体具有预定的晶体取向；一个栅极，由一个到所述基底的接点构成；一个绝缘势垒层，在所述基底的上表面上，所述绝缘势垒层由所述结晶体群中的第二材料组成，并且具有与预定晶体取向相同的晶体取向；一个超导薄膜层，在所述绝缘势垒层的上表面上；一对金属端片，在所述超导薄膜的上表面上，第一金属端片是源极，第二金属端片是漏极；以及一个由电场控制的电流沟道，位于两个金属端片之间的所述超导薄膜层中。
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