[发明专利]电光装置和电子设备有效
申请号: | 00122575.8 | 申请日: | 2000-06-03 |
公开(公告)号: | CN1278660A | 公开(公告)日: | 2001-01-03 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L27/15;G09F9/30;H05B33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种EL显示装置,该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面,该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48,以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外,第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧,并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是,第四钝化膜50也具有热辐射作用,以使EL元件203能够被热辐射层包住。 | ||
搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种电光装置,其中EL元件与绝缘膜接触,该绝缘膜包括从B(硼)、C(碳)和N(氮)中选择的至少一种元素和从Al(铝)、Si(硅)和P(磷)中选择的至少一种元素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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