[发明专利]集成抗反射层与金属硅化物块的方法

摘要

一种集成抗反射层与自行对准硅化物块的方法,至少包含提供至少可分为检测器区域与晶体管区域的衬底其中检测器区域至少包含掺杂区而晶体管区域至少包含由栅极、源极与漏极所形成的晶体管;形成复合层在衬底上,此复合层同时覆盖掺杂区与晶体管,并且是用以增大自掺杂区进入复合层的光线的反射率;以微影蚀刻程序移除部分的复合层,用来使得栅极的顶部、源极与漏极皆未被复合层所覆盖;以及执行自行对准硅化物程序,形成金属硅化物在栅极的顶部、源极与漏极之上。本方法的主要特点是复合层可以同时作为检测器区域的抗反射层以及晶体管区域的自行对准硅化物块,其中复合层是由多个基层交错相叠而成,并且相邻的数个基层的折射率都不同。

主权项

1.一种集成抗反射层与自行对准硅化物块的方法，其特征在于，至少包含：提供一衬底，所述衬底至少可分为一检测器区域与一晶体管区域，其中所述检测器区域至少包含一掺杂区而所述晶体管区域至少包含由一栅极、一源极与一漏极所形成的一晶体管；形成一复合层在所述衬底上，所述复合层同时覆盖所述掺杂区与所述晶体管，在此所述复合层用来增大自所述掺杂区进入所述复合层的光线的反射率；以一微影蚀刻程序移除部份的所述复合层，从而使得所述栅极的顶部、所述源极与所述漏极皆未被所述复合层所覆盖：以及执行一自行对准硅化物程序，从而形成一金属硅化物在所述栅极的顶部、所述源极与所述汲极之上。