[发明专利]能提高存储单元读取速度的半导体存储器

摘要

一种半导体存储器,包括电流检测电路、输入信号产生电路、参数电流检测电路、参考输入信号产生电路和差动放大电路。电流检测电路检测流经存储单元的电流并输出检测信号;输入信号产生电路产生通过放大检测信号得到的差动输入信号;参考电流检测电路检测流经参考单元的电流,参考输入信号产生电路产生通过放大参考检测信号得到的第二差动输入信号并输出;差动放大电路检测第一和第二差动输入信号间的电压差。

主权项

1．一种半导体存储器，其特征在于包括：电流检测电路(1-1)，检测流经存储单元(M1)的电流(IS1)，以从所述电流检测电路(1-1)的输出部分输出检测信号(VS1)；输入信号产生电路(2-1)，其通过放大所述检测信号(VS1)产生第一差动输入信号(VSE1)，并将其从所述输入信号产生电路(2-1)的输出部分输出；参考电流检测电路(1R)，检测流经参考单元(MR)的电流(IR)，以从所述参考电流检测电路(1R)的输出部分输出参考检测信号(VR)：参考输入信号产生电路(2R)，其通过放大所述参考检测信号(VR)产生第二差动输入信号(VRE)，并将其从所述参考输入信号产生电路(2R)的输出部分输出；差动放大电路(SEN-1)，检测所述第一和第二差动输入信号(VSE1、VRE)之间的电压差。