[发明专利]电光装置和电子装置有效
| 申请号： | 00124108.7 | 申请日： | 2000-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1278109A | 公开（公告）日： | 2000-12-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12;H01L27/15;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT201形成在具有多栅极结构的像素中,多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且,电流控制TFT202具有比开关TFT更宽的沟道宽度,以制成适合于电流流动的结构。此外,形成有电流控制TFT202的LDD区域33以便重叠一栅极35的一部分,从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 电子 | ||
【主权项】：
1、一种具有像素的电光装置，包括：第一TFT；第二TFT，包含电连接到第一TFT的栅极；以及电连接到第二TFT的EL元件，其中第一TFT包含一动态层，在其上形成有2个或更多的顺序连接的沟道形成区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
