[发明专利]一种喷射沉积高硅铝合金的方法无效
| 申请号： | 00124660.7 | 申请日： | 2000-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1345983A | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张济山;王锋;杨滨;崔华;段先进 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/00 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善喷射沉积过共晶铝硅合金组织和性能的新方法,适用于材料制备技术领域,涉及喷射沉积过共晶铝硅合金的制备工艺。特征在于采用喷射沉积技术制备过共晶Al－(16～45%)Si合金时,加入Fe、Mn元素,Mn/Fe的重量百分数为0.5～1,合金组织中形成了颗粒状的金属间化合物Al15(FeMn)3Si2,消除了单纯加Fe时形成的针状的Al－Si－Fe化合物;优点在于避免了针状相对合金性能的不利影响,同时提高了合金的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 喷射 沉积 铝合金 方法 | ||
【主权项】：
1、一种喷射沉积高硅铝合金的方法，其特征在于：采用喷射沉积技术制备过共晶Al-(16～45％)Si合金时，加入Fe、Mn元素，Mn/Fe的重量百分数为0.5～1，合金组织中形成了颗粒状的金属间化合物Al15(FeMn)3Si2，消除了单纯加Fe时形成的针状的Al-Si-Fe化合物；喷射沉积的工艺参数为：雾化气体：氮气，雾化压力：0.5～0.9Mpa，熔体过热度：150～300℃，沉积距离：350～450mm。
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