[发明专利]多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

摘要

一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括一个浮动栅极,通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离;第一电介质层,形成于浮动栅极的顶部;第一控制栅极,形成在浮动栅极上,并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离;第二电介质层,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上;第二控制栅极,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上,并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离;以及源极和漏极,它们形成在衬底中,并且与第二控制栅极两边自对准。

主权项

1．一种多级快速EEPROM单元，包括：一个浮动栅极，它通过下面的隧道氧化层与一个硅衬底电隔离；第一电介质层，它形成于浮动栅极的顶部；第一控制栅极，它形成在浮动栅极上，并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离；第二电介质层，它形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上；第二控制栅极，它形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上，并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离；和一个源极和一个漏极，它们形成在衬底中，并且与第二控制栅极两边自对准。