[发明专利]高居里温度铋层状(BLSF)压电陶瓷的合成与烧结工艺无效
| 申请号： | 00127699.9 | 申请日： | 2000-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1295046A | 公开（公告）日： | 2001-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李承恩;李毅;秦俊侠;李广成;李明祥;倪焕尧 | 申请（专利权）人： | 上海联能科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/64;H01L41/187 |
| 代理公司： | 上海东亚专利事务所 | 代理人： | 黄桂娟,董梅 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及压电陶瓷的制备,包括采用细颗粒、化学纯试剂为原料,将通式(Bi2O2)2+(Am+1BmO3m+1)2－中的A位离子氧化物或置换A位离子的微量离子氧化物,分别与超细高纯的Bi2O3、TiO2、CaCO3,按通式的化学计量进行称量,混合均匀后在400～1100℃下进行粉料的多循环合成,再将粉料加粘结剂干压成型,排塑后的生坯置密封的化铝坩埚中,在1150～1200℃的条件下进行多循环烧结,多片极化,即得可批量生产的高性能的压电陶瓷元件成品。 | ||
| 搜索关键词： | 居里 温度 层状 blsf 压电 陶瓷 合成 烧结 工艺 | ||
【主权项】：
一种高居里温度铋层状(BLSF)压电陶瓷的合成与烧结工艺，该陶瓷组合物的的化学通式为：化学通式为(Bi2O2)2+(Am+1BmO3m+1)2-，其中A为适合于12配位的1、2、3、4价离子或它们的复合，包括：K+、Na+、Ca2+等；B为适合于八面体配位的离子或它们的复合，包括：Fe3+、Ce3+、Cr3+、Ti4+、W6+等；m为一整数；其特征在于：采用细颗粒的原料，进行陶瓷粉料的循环合成与坯件的循环烧结，具体过程是：1，陶瓷粉料的多循环合成：采用细颗粒，(d50=0．10～0．30μm)的化学纯试剂为原料，将通式中的A位离子氧化物或置换A位离子的微量离子氧化物，分别与超细高纯(d50≤0．30μm，纯度＞99．99％)的Bi2O3、TiO2、CaCO3，按所述压电陶瓷组合物通式的化学计量进行称量，混合均匀后进行低温(400温℃)～1100℃的多循环合成，其具体操作如下：第一循环：将所述各组原料置入氧化铝坩埚中，以2～5℃／分的升温速度将上述混合料从室温-→400℃，保温2小时-→自然冷却至室温-→30目过筛，除去粗颗粒后得第一循环粉末合成料；第二循环：将第一循环所得的合成料，以2～5℃／分的升温速度从室温-→850℃，保温2小时-→自然冷却至室温-→20～30目过筛，除去粗颗粒后混匀得第二循环粉末合成料；第三循环：将第二循环所得的合成料，再以2～5℃／分的升温速度从室温-→1100℃，保温1小时-→自然冷却至室温-→20～30目过筛除去粗颗粒后混匀得第三循环粉末合成料；
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