[发明专利]通过检测氧化物/氮化物界面使化学机械平面化过程最佳

摘要

把悬浮液加到包括抛光垫和适合于旋转的台板的抛光台；使一部分悬浮液能够填入抛光垫和晶片间的界面。连续地从悬浮液抽取气体样品；气体样品包括在抛光垫接触中止层时产生的反应产物。把气体样品输入反应产物探测器。确定悬浮液中的反应产物开始检测到的第一时间，由此建立第一参考点。确定悬浮液中检测最大反应物量的第二时间，由此建立第二参考点。处理第一和第二参考点获得信号，其中信号反映含反应产物的薄层的去除均匀性。

主权项

1.使具有目标去除层和中止层的晶片的化学机械平面化工艺过程最佳化的方法，其中所述中止层包括氮化硅，该方法包括：把悬浮液加入抛光台，上述抛光台包括抛光垫和适合于旋转的台板，使一部分上述悬浮液能够填入上述抛光垫和上述晶片之间的界面，连续地从上述悬浮液抽取气体样品，上述气体样品进一步包括在上述抛光垫接触上述中止层时产生的反应产物，其中所述反应产物包括氨，把上述气体样品输入反应产物探测器，确定对应于在上述悬浮液中开始检测到上述反应产物的第一时间，由此建立第一参考点，确定对应于在上述悬浮液中检测到上述反应物最大体积的第二时间，由此建立第二参考点，对上述第一参考点和第二参考点进行处理产生信号，其中上述信号反映出含上述反应产物的上述层去除的均匀性。