[发明专利]热光电池及其制备方法无效
| 申请号： | 00129511.X | 申请日： | 2000-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1345094A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈钟谋 | 申请（专利权）人： | 杨希文;张盛武;陈钟谋 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 北京北新智诚专利代理有限公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 210024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可将光能转换成电能的光电池及其制备方法。本发明采用N++P+N－;N++P+N－与P+N－混杂结构;P++N+P－;以及P++N+P－与N+P－混杂结构作光电池。还将几乎不耗电的外来电源作为泵浦用,还用高渗杂办法来吸收红外线的硅热光电池。本发明电池的光电流较国际最高水平0.92A/W高出3.2倍,当加上1.5伏偏压后,高出414倍。 | ||
| 搜索关键词： | 光电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热光电池，其特征在于，其结构采用：a.用N++P+N-三层结构作光电池；b.由N++P+N-三层结构与P+N-混杂结构构成的光电池；c.用P++N+P-三层结构作光电池；d.用P++N+P-三层结构与N+P-混杂结构构成的光电池；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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