[发明专利]电子束写入方法、电子束刻蚀设备及其所用掩模无效
申请号: | 00129733.3 | 申请日: | 2000-10-08 |
公开(公告)号: | CN1290960A | 公开(公告)日: | 2001-04-11 |
发明(设计)人: | 中岛谦 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/027 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,方挺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 电子束刻蚀设备包括电子束源(31)和晶片载台(38),以及固定在晶片载台(38)上可以水平移动的掩模(2),电子束通过掩模到达晶片。在掩模具有的各区域中形成分割图形,根据区域的密度划分要刻写的图形得到分割图形。电子束刻蚀设备进一步包括控制器(37),其根据区域的密度为各区域至少控制掩模(2)和晶片载台(38)之一的速度。电子束刻蚀设备使得能够补偿掩模各区域中的邻近效应,保证以高精度刻写微型晶片。 | ||
搜索关键词: | 电子束 写入 方法 刻蚀 设备 及其 所用 | ||
【主权项】:
1.一种电子束写入方法,包括如下步骤:a)制备掩模,在其各个区域中形成分割图形,所述分割图形通过根据区域密度划分所刻写的图形获得;b)电子束通过所述掩模照射到晶片上,以通过所述掩模的各所述区域提供不同的电子束照射量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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