[发明专利]电子束写入方法、电子束刻蚀设备及其所用掩模无效

专利信息
申请号: 00129733.3 申请日: 2000-10-08
公开(公告)号: CN1290960A 公开(公告)日: 2001-04-11
发明(设计)人: 中岛谦 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L21/30 分类号: H01L21/30;H01L21/027
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,方挺
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 电子束刻蚀设备包括电子束源(31)和晶片载台(38),以及固定在晶片载台(38)上可以水平移动的掩模(2),电子束通过掩模到达晶片。在掩模具有的各区域中形成分割图形,根据区域的密度划分要刻写的图形得到分割图形。电子束刻蚀设备进一步包括控制器(37),其根据区域的密度为各区域至少控制掩模(2)和晶片载台(38)之一的速度。电子束刻蚀设备使得能够补偿掩模各区域中的邻近效应,保证以高精度刻写微型晶片。
搜索关键词: 电子束 写入 方法 刻蚀 设备 及其 所用
【主权项】:
1.一种电子束写入方法,包括如下步骤:a)制备掩模,在其各个区域中形成分割图形,所述分割图形通过根据区域密度划分所刻写的图形获得;b)电子束通过所述掩模照射到晶片上,以通过所述掩模的各所述区域提供不同的电子束照射量。
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