[发明专利]电子束曝光方法以及所使用的掩膜和电子束曝光系统无效

专利信息
申请号: 00132743.7 申请日: 2000-11-16
公开(公告)号: CN1297251A 公开(公告)日: 2001-05-30
发明(设计)人: 山下浩;小日向秀夫 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱海波
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其中预定图案被分为多个分区,在每个所述分区形成分段图案,依次地对每个所述分区进行曝光,完成整个所述指定图案的投影;包括如下步骤;对分区执行曝光,并且在其上面转印分段图案,用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束对所述分段图案的每个投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。本发明可以容易地在光刻步骤中为邻近效应纠正进行纠正曝光调节。
搜索关键词: 电子束 曝光 方法 以及 使用 系统
【主权项】:
1.一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其中预定图案被分为多个分区,以在每个所述分区形成分段图案,并且依次地对每个所述分区进行曝光,从而完成整个所述指定图案的投影;其中包括如下步骤:对每个所述分区执行曝光,并且依次地在其上面转印分段图案,以及用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束依次地对所述分段图案的每个投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。
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