[发明专利]电子束曝光方法以及所使用的掩膜和电子束曝光系统无效
申请号: | 00132743.7 | 申请日: | 2000-11-16 |
公开(公告)号: | CN1297251A | 公开(公告)日: | 2001-05-30 |
发明(设计)人: | 山下浩;小日向秀夫 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其中预定图案被分为多个分区,在每个所述分区形成分段图案,依次地对每个所述分区进行曝光,完成整个所述指定图案的投影;包括如下步骤;对分区执行曝光,并且在其上面转印分段图案,用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束对所述分段图案的每个投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。本发明可以容易地在光刻步骤中为邻近效应纠正进行纠正曝光调节。 | ||
搜索关键词: | 电子束 曝光 方法 以及 使用 系统 | ||
【主权项】:
1.一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其中预定图案被分为多个分区,以在每个所述分区形成分段图案,并且依次地对每个所述分区进行曝光,从而完成整个所述指定图案的投影;其中包括如下步骤:对每个所述分区执行曝光,并且依次地在其上面转印分段图案,以及用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束依次地对所述分段图案的每个投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造