[发明专利]半导体存储器电路的电容器的制造方法

摘要

一种堆叠式电容器的制造方法。形成字线和转移栅晶体管后,沉积第一介电层、薄的氮化硅与第二介电层。蚀刻以形成存储单元接触窗。沉积第一多晶硅,在接触窗内形成第一多晶硅插塞物。去除第二介电层以露出一部分第一多晶硅插塞物。形成第二多晶硅和第三介电层,对第三介电层回蚀刻以形成第三介电层侧壁间隔物。形成第三多晶硅,回蚀刻第三多晶硅和第二多晶硅,以形成第三多晶硅侧壁间隔物与第二多晶硅侧壁间隔物。去除第三介电层侧壁间隔物,剩余的第一多晶硅插塞物、第二多晶硅侧壁间隔物与第三多晶硅侧壁间隔物构成了电容器的电荷储存电极。

主权项

1.一种集成电路的多晶硅结构的制造方法，包括：在半导体基板上形成一层第一介电层，并平坦化所述第一介电层；沉积一层薄的介电层；沉积一层第二介电层；利用光刻和腐蚀技术蚀刻所述第二介电层、薄的介电层与第一介电层，以形成洞孔，以露出所述半导体基板；沉积一层第一多晶硅，所述第一多晶硅填满所述洞孔；在所述洞孔形成第一多晶硅插塞物；去除所述第二介电层以露出一部分的所述第一多晶硅插塞物；形成一层第二多晶硅；形成第三介电层侧壁间隔物；形成一层第三多晶硅；利用蚀刻技术回蚀刻所述第三多晶硅和第二多晶硅，以形成第三多晶硅侧壁间隔物与第二多晶硅侧壁间隔物；去除所述第三介电层侧壁间隔物。