[发明专利]薄膜晶体管平面显示器及其制作方法

摘要

一种薄膜晶体管平面显示器及其制作方法,其显示器制作在基板上,基板包括晶体管区及连接垫区。其方法是先分别在晶体管区及连接垫区上各形成栅极电极及垫电极,接着在基板上沉积第一绝缘层,并在连接垫区上的第一绝缘层中形成连接垫开口。随后在第一绝缘层上依序沉积第二绝缘层、半导体层、掺杂硅导电层及第二金属层,然后在晶体管区内定义通道区。最后在基板上形成图案化保护层,接着蚀刻未被保护层遮蔽的半导体层与第二绝缘层。

主权项

1.一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法，该显示器制作于一基板(substrate)上，该基板包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；(c)在该基板上形成一第一绝缘层，并定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来；(d)在该第一绝缘层上依序沉积一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(dopedsilicon)导电层以及一第二金属层；(e)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除该通道内以及该晶体管区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；(f)在该基板上全面沉积一保护层(passivationlayer)；以及(g)定义该保护层的图案，去除该第一部分外的保护层，如此使该半导体层暴露于该第一部分以外的区域，接着，以该保护层为蚀刻遮罩，去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使该第一绝缘层暴露于该第一部分外的区域，且使该垫电极暴露于该连接垫开口中。