[发明专利]磁电阻元件和磁存储装置无效
| 申请号： | 00135319.5 | 申请日： | 2000-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1308317A | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 猪俣浩一郎;中岛健太郎;齐藤好昭;砂井正之;岸达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11C11/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有由第一反铁磁层/第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第二介电层/第三铁磁层/第二反铁磁层叠层的铁磁性双隧道结的磁电阻元件,作为自由层的第二铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni－Fe合金/Co基合金三层膜组成,在第一至第三铁磁层中流过隧道电流。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 元件 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻元件，其特征在于：具有由第一反铁磁层/第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第二介电层/第三铁磁层/第二反铁磁层叠层的铁磁性双隧道结；上述第二铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜构成；在上述第一至第三铁磁层中流过隧道电流。
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