[发明专利]硅基蓝-紫光发光材料及其制备工艺无效
申请号: | 00135466.3 | 申请日: | 2000-12-13 |
公开(公告)号: | CN1358820A | 公开(公告)日: | 2002-07-17 |
发明(设计)人: | 王志光;金运范;谢二庆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院近代物理研究所 |
主分类号: | C09K11/00 | 分类号: | C09K11/00 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明涉及一种新型硅基蓝-紫光发光材料及其制备工艺,该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层,在发光层上设有薄膜保护层;其制备工艺是先将单晶硅片在高温加气氛下进行热处理;然后将预处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂;再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照;本发明的性能稳定且发光效率较高,可发出蓝-紫光;其制备工艺代替了传统工艺。 | ||
搜索关键词: | 硅基蓝 紫光 发光 材料 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种新型硅基蓝—紫光发光材料,其特征在于在单晶硅基片层(1)上设有发光层(2),在发光层(2)上设有薄膜保护层(3)。
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