[发明专利]纳米银基电接触合金及其制备工艺

摘要

纳米晶银基电接触合金及其制备工艺,利用高能球磨工艺制备出纳米级SnO2、InO2和Ag的复合粉,采用常规工艺制备出AgSnO2系列触点合金。此种AgSnO2触点合金的纳米级(10～100nm)第二相粒子(SnO2、InO2粒子)均匀分布于银基体中,触点电导率升高,抗熔焊和抗电弧侵蚀能力增强。

主权项

1、纳米晶银基电接触合金的制备工艺，首先将Ag粉、Sn粉、SnO2粉和InO2粉等粉末进行高能球磨，然后经冷压、烧结成坯，最后经热挤压、热拉拔、轧制或镦制等常规工艺成型，其特征在于，将重量比分别为80～95％的Ag粉、0～15％的Sn粉、0～15％的SnO2粉、0～5％的InO2粉等粉末在空气或氩气环境中高能球磨。高能球磨工艺为：球料比10～100∶1，相应的球磨时间为2～30小时(球料比越大，球磨时间越短)。球磨后粉末的颗粒尺寸为5～50μm，每个粉末颗粒中都为SnO2、InO2纳米粒子弥散分布于纳米晶银基体中，SnO2和InO2的重量比为5～20％。球磨后的纳米复合粉末(可经过预先退火)经20～100MPa冷压、在300～800℃烧结成坯。